3044澳门永利集团第989期研究生论坛暨微电子学期第五期研究生论坛

2025年11月20日下午，先进半导体材料与器件团队在YG04-102成功举办了永利3044集团2025年第五期研究生论坛，本次论坛吸引了团队成员及各方向导师的积极参与，现场学术气氛浓厚。本次论坛由七位研一学生进行分享交流，导师对同学们的成果表示充分肯定并与同学们对分享内容进行了深入探讨。此次论坛为研究生们提供了高质量的学术交流平台，不仅有效拓宽了科研视野，也激发了创新思维。

丁露露：用于非易失性数字存储器和人工突触的2D 范德华CuInP 2S 6（磷化硫铜铟）中的铁电/离子调制电导。这篇文献的目标是通过调控 CIPS 中 Cu⁺的铁电极化反转与长距离迁移，在单一 Au/CIPS/Au 器件中同时实现非易失性数字存储与人工突触功能，为高密度数据存储、信息处理及神经形态计算提供高性能硬件方案。在研究中，通过电压控制 CIPS中的Cu⁺的运动，实现 “功能切换”。在器件的顶部电极上施加大的扫描电压来证明数字存储行为，证实了器件优异的非易失性行为和多级存储性能；在小电压下，Cu⁺仅在晶格八面体间隙振动，不发生长距离迁移，通过铁电极化反转连续调控器件电阻态，模拟突触可塑性。第二篇文献：由非易失性铁电畴控制的可编程过渡金属二硫属化物同质结。这篇文献的目标是利用铁电聚合物的非易失性铁电畴，实现 TMDs （过渡金属二硫属化物）载流子类型的精准、可重构调控，构建可擦写的 p-n/p-p/n-n 同质结，并构建了非常规的非易失性存储器件，例如QNV（准非易失性存储器)器件和电写入光阅读存储器器件。

杨正楠：1.在DMF中加入 CsBr 和 PbBr2，同时加入封装配体 OA 和 OAm，搅拌得到澄清溶液—— CsBr 和 PbBr2 溶解，得到游离的离子。将配好的溶液里加入氨溶液，再快速加入去水的甲苯溶液之中，其中包含TMOS（硅源）。剧烈搅拌后降低转速保持2小时，最后离心5分钟分离出最终产物。2.采用 PEA+ 和 TFA- 添加策略有效控制钙钛矿薄膜维度并钝化缺陷，从而显著提高薄膜的电学性能，得到高效的深蓝色钙钛矿LED。

张生禧：展示了一种简单的逐层热蒸发策略，以制备具有可调发射波长的高质量钙钛矿发光薄膜。引入5 -氨基戊酸调节沉积过程中的界面反应，在后退火过程中减缓结晶，并通过配位相互作用钝化缺陷。这种方法可以获得具有高均匀性和发光效率的钙钛矿发光层。

雷权翻：利用工业级真空热蒸发技术，在 CsPbBr₃ 发光层中原位引入富铯相 Cs₄PbBr₆，通过“零维围墙”对载流子施加空间限域，把辐射复合速率提高 8 倍，同时把缺陷导致的非辐射复合压到原来的一半，从而将全真空制备的钙钛矿发光二极管外量子效率刷新至 8%。借助蒸发工艺固有的均匀性与可扩展性，我们在 40 cm² 的单一芯片上仍保持 7.1% 的效率，并用 100 µm 金属掩膜首次演示了高分辨率图案化薄膜，为钙钛矿显示技术的产业化提供了可直接对接现有 OLED 产线的路线。

王佳豪：围绕Te-TeOx体系红外光电探测器展开。内容先回顾上周阅读文献、学习设备使用的任务及存在的能带概念、载流子过程等知识难点，接着分析实验思路与原理，解释热蒸发中成分梯度形成机制、Te与TeOx的作用及文献选用Si衬底的原因，还阐述了Te含量对暗电流、光吸收与响应度的影响，介绍了以有效Te含量为主变量的实验方案与相关数据分析方法，最后指出当前文献理解和实验操作的难点，并明确下一步阅读文献、多做实验的计划。

冯轶好：一种新型的二维材料CIPS，其内部的铜离子既能产生铁电性，又能进行迁移。通过精确控制施加在CIPS材料上的电压大小，像调节“旋钮”一样，选择性地激发其内部两种不同的物理机制（铁电极化反转 或 铜离子迁移），从而在同一个简单器件上实现了两种截然不同的高端功能：高性能数字存储器和多功能人工突触。

李建明：基于化学气相沉积方法生长准一维半导体材料如CdS纳米带和Te纳米线/带，系统研究其光电流产生机理，通过HfO₂钝化及Te/石墨烯异质结优化显著降低暗电流与噪声，实现超高探测率、快速响应及黑体敏感红外成像应用。